11月14日至16日，第二十七屆中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)在深圳舉行，我校精心遴選組織28個(gè)項(xiàng)目參展，項(xiàng)目涉及集成電路、機(jī)器人、新能源、智能制造等領(lǐng)域，充分展現(xiàn)了學(xué)校緊跟產(chǎn)業(yè)發(fā)展前沿，在服務(wù)企業(yè)源頭創(chuàng)新、促進(jìn)科研成果市場(chǎng)轉(zhuǎn)化以及開(kāi)展創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)教育的最新成果。

黨委副書(shū)記、校長(zhǎng)許建領(lǐng)在展廳現(xiàn)場(chǎng)聽(tīng)取項(xiàng)目介紹。

AI全自動(dòng)手機(jī)貼膜機(jī)驚艷全場(chǎng)本屆高交會(huì)，深職大展位首次展出的“膜力無(wú)限”項(xiàng)目——AI全自動(dòng)手機(jī)貼膜機(jī)引發(fā)廣泛關(guān)注。該項(xiàng)目為中國(guó)國(guó)際大學(xué)生創(chuàng)新大賽金獎(jiǎng)項(xiàng)目，致力于成為全球無(wú)人化手機(jī)貼膜行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。這款由鄭付成博士帶領(lǐng)學(xué)生和企業(yè)團(tuán)隊(duì)研發(fā)的設(shè)備，深耕手機(jī)后市場(chǎng)，以“90秒快速完成貼膜+全球智能化運(yùn)維”為核心優(yōu)勢(shì)。設(shè)備攻克“多模組聯(lián)動(dòng)清潔”“自適應(yīng)穩(wěn)態(tài)貼合”等核心技術(shù)，最快90秒完成貼膜。設(shè)備有 5400 張貨道容量，支持 24 小時(shí)無(wú)人值守，結(jié)合云原生 SaaS 系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)耗材管理與遠(yuǎn)程運(yùn)維。完美解決了海外手機(jī)人工貼膜價(jià)格高、效率低、效果不穩(wěn)定、行業(yè)需求迫切等痛點(diǎn)。

“膜力無(wú)限”項(xiàng)目——AI全自動(dòng)手機(jī)貼膜機(jī)引發(fā)廣泛關(guān)注。

目前，“膜力無(wú)限”已出口至海外19個(gè)國(guó)家/地區(qū)，單臺(tái)設(shè)備在海外市場(chǎng)表現(xiàn)突出，平均回本周期3個(gè)月。累計(jì)申請(qǐng)國(guó)際 PCT 、發(fā)明專(zhuān)利、外觀(guān)專(zhuān)利等 20余項(xiàng)，獲美國(guó) FCC、歐盟 CE、日本 PSE等多項(xiàng)國(guó)際權(quán)威認(rèn)證。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人表示，團(tuán)隊(duì)將深耕手機(jī)后市場(chǎng)，拓展全自動(dòng) AI 手機(jī)殼定制機(jī)等產(chǎn)品，打造無(wú)人化 3C 服務(wù)場(chǎng)景，構(gòu)建 “自有渠道 +第三方渠道” 模式，建立海外運(yùn)營(yíng)中心，引領(lǐng)全球無(wú)人化手機(jī)后市場(chǎng)行業(yè)發(fā)展。

深職大展廳吸引不少觀(guān)眾駐足。

參展項(xiàng)目吸睛眾多展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，PVD外延技術(shù)裝備——科研及產(chǎn)業(yè)化、半絕緣電阻率檢測(cè)設(shè)備等項(xiàng)目吸引了眾多參展觀(guān)眾的目光。PVD外延技術(shù)裝備采用PVD（物理氣相沉積）技術(shù)，制備外延薄膜（單晶）。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)從2012年開(kāi)始深耕該領(lǐng)域，并針對(duì)工程與產(chǎn)業(yè)化需求，配套研發(fā)（優(yōu)化）了多項(xiàng)關(guān)鍵零部件。以第三代半導(dǎo)體GaN單晶為研究對(duì)象，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)在高真空環(huán)境中實(shí)現(xiàn)原子級(jí)原位探測(cè)，從而在原子尺度上精確調(diào)控GaN薄膜的沉積過(guò)程，探索其向外延生長(zhǎng)轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵工藝窗口。傳統(tǒng)工藝中，GaN外延多采用MOCVD技術(shù)，但該方法易引入碳、氫雜質(zhì)。本項(xiàng)目采用的PVD外延路徑，則可有效避免碳?xì)湮廴荆嵘牧霞兌取ｍ?xiàng)目重點(diǎn)包括研發(fā)專(zhuān)用外延電源，支撐高質(zhì)量外延工藝的實(shí)現(xiàn)；開(kāi)展GaN外延動(dòng)力學(xué)研究，揭示原子尺度缺陷對(duì)材料電學(xué)性能（如低缺陷濃度、低漏電、高擊穿電壓）的影響機(jī)制。在材料源方面，采用液態(tài)鎵源與氮?dú)怆x化源，并配備固體靶材，以滿(mǎn)足AlGaN、InGaN薄膜制備及襯底摻雜等多元化工藝需求。半絕緣電阻率檢測(cè)設(shè)備專(zhuān)注于研發(fā)與生產(chǎn)基于TDCM（動(dòng)態(tài)電容測(cè)量）容阻放電電學(xué)理論的半絕緣電阻率檢測(cè)設(shè)備，用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體材料（如GaAs、SiC、GaN等）的電阻率、遷移率和載流子濃度的非接觸式高精度測(cè)量。該設(shè)備通過(guò)動(dòng)態(tài)電容原理無(wú)損檢測(cè)材料電學(xué)參數(shù)，避免傳統(tǒng)接觸式測(cè)量對(duì)樣品的損傷，顯著提升檢測(cè)效率和準(zhǔn)確性。

近年來(lái)，學(xué)校堅(jiān)持“立地頂天”的應(yīng)用科研導(dǎo)向，科研創(chuàng)新能力持續(xù)增強(qiáng)。積極深化與企業(yè)、第三方機(jī)構(gòu)的產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同，充分利用“中國(guó)科技第一展”——高交會(huì)等平臺(tái)推動(dòng)科技成果轉(zhuǎn)化，探索構(gòu)建了線(xiàn)上線(xiàn)下結(jié)合、專(zhuān)業(yè)化與市場(chǎng)化雙輪驅(qū)動(dòng)的科技成果轉(zhuǎn)化與交易體系。

（科研處/文 宣傳部 張雷 校融媒體中心 鐘雯玉/圖）